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半導體清洗的核心在于去除晶圓表面的各種污染物，并保持晶圓表面的潔凈度和電性能。具體原理包括：

物理清洗：利用機械力（如超聲波）或壓力（如噴淋）去除顆粒物。

化學清洗：通過化學反應去除有機物和金屬離子。

等離子清洗：利用等離子體中的活性粒子與污染物反應，從而去除污染物。表面改性：通過化學或物理方法改變晶圓表面的性質，以提高后續工藝的效果。

1.預清洗

  去離子水（DI Water）沖洗：使用高純度的去離子水初步去除晶圓表面的顆粒和松散污染物。這一步驟是為了去除大顆粒和易于去除的雜質，為后續的深度清洗做準備。

  超聲波清洗：將晶圓置于裝有去離子水的超聲波槽中，通過超聲波產生的空化效應，破壞顆粒與晶圓表面的結合力，從而去除顆粒。

化學清洗

去除有機物：

  丙酮清洗：使用丙酮溶解油脂和其他有機物。氨水/過氧化氫混合液（SC-1）：使用氨水和過氧化氫的混合液去除有機物。SC-1的典型配比為NH4OH:H2O2:H2O = 1:1:5，溫度在20°C左右。

去除金屬離子：

  硝酸清洗：使用硝酸去除金屬離子。

  鹽酸/過氧化氫混合液（SC-2）：使用鹽酸和過氧化氫的混合液去除金屬離子。SC-2的典型配比為HCl:H2O2:H2O = 1:1:6，溫度在80°C左右。

去除氧化物：

  氫氟酸（HF）：使用氫氟酸去除晶圓表面的氧化層。HF的典型配比為HF:H2O = 1:50，溫度在室溫左右。

3.終清洗

  去離子水沖洗：使用去離子水沖洗晶圓，確保表面無殘留的化學物質。

  臭氧水清洗：使用臭氧水（O3/H2O）進一步氧化并去除殘留的有機物和金屬離子。

  旋轉甩干：在高速旋轉下，利用離心力去除晶圓表面的液體。

  氮氣吹掃：使用氮氣吹掃晶圓表面，確保表面干燥，防止水痕留下。